Das Zeiss Mikroskop für Wafer-Probersysteme (PSM) ersetzt ideal die standardmäßigen optischen Mikroskopköpfe für die Waferprüfung und ermöglicht damit die neuesten Techniken der Fehleranalyse im Halbleiterlabor. Durch die sehr hohe Transmission der Optik ist das PSM besonders für die Photoemission geeignet, kann aber auch für die spektrale Analyse, Rückseiten-Emission, Infrarot-Bildgebung, UV-Fluoreszenz sowie Flüssigkristall-Methode eingesetzt werden. Die heutige Forderung nach höchster Empfindlichkeit für die Photoemission wird vom PSM aufgrund des hohen optischen Wirkungsgrades und des breiten Spektralbereichs erfüllt. Das PSM arbeitet sowohl im nahen UV- als auch im IR-Spektralbereich.

Die ICS Optik mit langem Arbeitsabstand führt zu einer deutlichen Verbesserung der Auflösung und Bildqualität gegenüber den Standardkomponenten von Wafer-Probersystemen, speziell dann, wenn es sich um Submikron-Geometrien handelt.

Die UV-Fluoreszenz eröffnet eine neue Technik, Microthermography Fluorescence Imaging (MFI), die für die Wafer- und IC-Defektprüfung immer interessanter wird und die Photoemission- und Flüssigkristall-Methoden zur Defektlokalisation ergänzt.

Mit dem PSM Mikroskop ist nun auch die Rückseiten-Photoemission an Silizium und GaAs, die oberhalb von 1100 nm durchsichtig sind, möglich. Wenn durch die Metallabdeckungen auf der Vorderseite die Oberfläche optisch undurchsichtig wird, ist die Rückseitentechnik die einzige Methode zur Defektlokalisation.

Zur Erweiterung des Anwendungsspektrums von Wafer-Probersystemen kann das PSM mit Einrichtungen für Hellfeld, Dunkelfeld, Fluoreszenz, polarisiertes Licht und Interferenz-Kontrast ausgerüstet werden.

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