MIKROSKOPE FÜR DIE MIKROELEKTRONIKINDUSTRIE /
MASKENMESSTECHNIK


Mikrolithogrfie-Simulations-Mikroskop MSM 100

Phase-Shift-Masken-Analyse mit dem MSM 100

MSM 100 Das Mikrolithographie-Simulations- mikroskop MSM 100 (siehe auch Broschüre catalogue-no.: 40-381 e/5.96) einschließlich der Luftbild-Meß-Software AIMS™ hilft bei der Entwicklung, Qualitätskontrolle, Reparaturüberprüfung und Fehlerklassifizierung von Phase-Shift-Masken durch den Einsatz von Luftbildmessung. Außerdem können Chrommasken bei der Wellenlänge des Steppers geprüft werden, was die Qualität der Analyse erhöht. Das Ziel ist, die Inspektion der Masken vor dem teuren and langwierigen Schritt der Waferherstellung zu verkürzen.

Die Phase-Shift-Technologie in Kombination mit G-Linien, I-Linien und DUV Steppern ist eines der vielversprechendsten Verfahren, die Prozeßparameter so zu verbessern, daß Geometrien von 0,35 m und kleiner erreicht werden können. Um die Maskengüte und die komplexen Übertragungsmuster unter Bedingungen prüfen zu können, die mit denen des Steppers identisch sind, ist das MSM 100 für die Belichtung bei der G-Line (436 nm), der I-Linie (365 nm) und für das tiefe UV (DUV-Line bei 248 nm) optimiert worden.

Zusätzlich kann der Benutzer die numerische Apertur (n.A.) und der Kohärenzgrad (Sigma) abhängig vom benutzten Stepper einstellen. Sowohl die Beleuchtungs- als auch die Abbildungsblende können zu Justierzwecken betrachtet werden. Dadurch wird es möglich, den Wert der partiellen Kohärenz von 0.1 bis 1.0 genau einzustellen und zu kontrollieren. Der Benutzer kann auf die Blendenebenen zugreifen, um verschiedene Blendengrößen und -formen einschließlich der außeraxialen Beleuchtung einzustellen.

Die komplette Systemsteuerung, Bilderfassung und Analyse wird von der AIMS™ Software besorgt. Die Maske wird auf einem präzisionsgesteuerten motorischen Tisch unter dem Mikroskopobjektiv verfahren. Eine Reihe von Luftbildern in Abhängigkeit vom Fokus werden bei hoher Vergrößerung von einer UV-CCD - Kamera aufgenommen. Diese "through-focus" Bilder werden dann analysiert und auf verschiedenste Weise dargestellt. Die Prozeßfenster (Toleranzfelder) für den Belichtungsprozeß im Stepper werden für die Strukturen auf den Masken aus den Meßergebnissen bestimmt. Dies gibt dem dem Benutzer den nötigen Aufschluß über die Maskenqualität.


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