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MIKROSKOPE FÜR DIE MIKROELEKTRONIKINDUSTRIE / MASKENMESSTECHNIK | |
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Mikrolithogrfie-Simulations-Mikroskop MSM 100
Phase-Shift-Masken-Analyse mit dem MSM 100
Das Mikrolithographie-Simulations- mikroskop
MSM 100 (siehe auch Broschüre catalogue-no.: 40-381 e/5.96) einschließlich
der Luftbild-Meß-Software AIMS
hilft bei der Entwicklung, Qualitätskontrolle, Reparaturüberprüfung
und Fehlerklassifizierung von Phase-Shift-Masken durch den Einsatz
von Luftbildmessung. Außerdem können Chrommasken bei
der Wellenlänge des Steppers geprüft werden, was die
Qualität der Analyse erhöht. Das Ziel ist, die Inspektion
der Masken vor dem teuren and langwierigen Schritt der Waferherstellung
zu verkürzen.
Die Phase-Shift-Technologie in Kombination
mit G-Linien, I-Linien und DUV Steppern ist eines der vielversprechendsten
Verfahren, die Prozeßparameter so zu verbessern, daß
Geometrien von 0,35 m und kleiner erreicht werden können.
Um die Maskengüte und die komplexen Übertragungsmuster
unter Bedingungen prüfen zu können, die mit denen des
Steppers identisch sind, ist das MSM 100 für die Belichtung
bei der G-Line (436 nm), der I-Linie (365 nm) und für das
tiefe UV (DUV-Line bei 248 nm) optimiert worden.
Zusätzlich kann der Benutzer die
numerische Apertur (n.A.) und der Kohärenzgrad (Sigma) abhängig
vom benutzten Stepper einstellen. Sowohl die Beleuchtungs- als
auch die Abbildungsblende können zu Justierzwecken betrachtet
werden. Dadurch wird es möglich, den Wert der partiellen
Kohärenz von 0.1 bis 1.0 genau einzustellen und zu kontrollieren.
Der Benutzer kann auf die Blendenebenen zugreifen, um verschiedene
Blendengrößen und -formen einschließlich der
außeraxialen Beleuchtung einzustellen.
Die komplette Systemsteuerung, Bilderfassung
und Analyse wird von der AIMS
Software besorgt. Die Maske wird auf einem präzisionsgesteuerten
motorischen Tisch unter dem Mikroskopobjektiv verfahren. Eine
Reihe von Luftbildern in Abhängigkeit vom Fokus werden bei
hoher Vergrößerung von einer UV-CCD - Kamera aufgenommen.
Diese "through-focus" Bilder werden dann analysiert
und auf verschiedenste Weise dargestellt. Die Prozeßfenster
(Toleranzfelder) für den Belichtungsprozeß im Stepper
werden für die Strukturen auf den Masken aus den Meßergebnissen
bestimmt. Dies gibt dem dem Benutzer den nötigen Aufschluß
über die Maskenqualität.
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